图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： APTM100TDU35PG
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APTM100TDU35PG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APTM100TDU35PG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APTM100TDU35PG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APTM100TDU35PG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APTM100TDU35PG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET TRIPLE DUAL COM SRC SP6-P |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 6 N-沟道（3 相桥） |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | APTM100TDU35PG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 186nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 420 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | SP6-P |
| 功率-最大值 | 390W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A |
推荐商品
.jpg)
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
APTM100TDU35PG 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商