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  • 型号: APTGT150A170D1G
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供APTGT150A170D1G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APTGT150A170D1G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APTGT150A170D1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载APTGT150A170D1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有APTGT150A170D1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

APTGT150A170D1G是Microsemi Corporation生产的一款IGBT模块,属于高功率半导体器件。该模块主要应用于需要高效、高可靠性和高电压电流处理能力的工业和电力电子系统中。

典型应用场景包括:高压直流输电(HVDC)、风力发电变流器、轨道交通牵引系统、工业电机驱动以及大功率电源设备等。其额定电压达1700V,额定电流为150A,具备优良的开关特性和热稳定性,适合在高电压、大电流环境下长期稳定运行。此外,该模块还适用于需要快速开关响应和低导通损耗的场合,如不间断电源(UPS)和有源滤波器(APF)等电能质量改善设备。

由于采用先进封装技术,APTGT150A170D1G具有良好的绝缘性能和散热能力,可在恶劣工作条件下保持可靠性,广泛用于对安全性和耐久性要求较高的领域。其设计也便于模块化集成,有助于简化系统结构、提高整体效率。

综上所述,该IGBT模块主要服务于高端工业与能源市场,特别适用于新能源发电、智能电网及重工业驱动等关键电力转换环节。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

产品分类

IGBT - 模块

IGBT类型

沟道和场截止

品牌

Microsemi Power Products Group

NTC热敏电阻

数据手册

产品图片

产品型号

APTGT150A170D1G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Vce时的输入电容(Cies)

13nF @ 25V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.4V @ 15V,150A

供应商器件封装

D1

功率-最大值

780W

安装类型

底座安装

封装/外壳

D1

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

1700V

电流-集电极(Ic)(最大值)

280A

电流-集电极截止(最大值)

4mA

输入

标准

配置

半桥

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