【ALD212900SAL/规格参数】厂家_ALD212900SAL中文资料_价格

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型号： ALD212900SAL
制造商： Advanced Linear Devices
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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ALD212900SAL产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Depletion
描述	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOICMOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 N 沟道（双）配对
Id-ContinuousDrainCurrent	79 mA
Id-连续漏极电流	79 mA
品牌	Advanced Linear Devices Inc
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD212900SALEPAD®， Zero Threshold™
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产品型号	ALD212900SAL
Pd-PowerDissipation	500 mW
Pd-功率耗散	500 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	14 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	14 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	10 V
Vds-漏源极击穿电压	10 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	0 V
Vgsth-栅源极阈值电压	0 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	20mV @ 20µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	30pF @ 5V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	14 欧姆
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SOIC
其它名称	1014-1209
典型关闭延迟时间	10 ns
功率-最大值	500mW
包装	管件
商标	Advanced Linear Devices
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	14 Ohms
封装	Tube
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 70 C
最小工作温度	0 C
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	10 V
漏极连续电流	79 mA
漏源极电压(Vdss)	10.6V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	80mA
系列	ALD212900S
通道模式	Depletion
配置	Dual