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Datasheet下载- 型号： ALD210800ASCL
- 制造商： Advanced Linear Devices
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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ALD210800ASCL产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 10.6V 70MA 16SOICMOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 4 N 沟道，配对 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 mA |
| Id-连续漏极电流 | 12 mA |
| 品牌 | Advanced Linear Devices |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD210800ASCLEPAD®， Zero Threshold™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ALD210800ASCL |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 10mV @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 欧姆 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
| 其它名称 | 1014-1214 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Advanced Linear Devices |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 25 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-16 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 10 V |
| 漏极连续电流 | 12 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/advanced-linear-devices-precision-n-channel-mosfet/3624 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70mA， 50µA |
| 系列 | ALD210800A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Quad Dual Common Source |
