Datasheet下载- 型号： AFT21S230SR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT21S230SR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT21S230SR3价格参考。Freescale SemiconductorAFT21S230SR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT21S230SR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT21S230SR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 AFT21S230SR3 是一款高性能射频场效应晶体管（RF MOSFET），属于射频功率晶体管类别，广泛应用于无线通信领域的高频率、高效率场景。该器件特别适用于工作在 800MHz 至 1000MHz 频段的基站和发射系统，常见于陆地移动无线电（如公共安全通信、消防、警察通信系统）、蜂窝基础设施（如 GSM、CDMA 和 LTE 基站）以及工业级射频放大器中。 AFT21S230SR3 具有高增益、高效率和良好的热稳定性，能够在高功率条件下稳定运行，适合用于推挽式或线性放大电路中，以满足对信号清晰度和传输距离要求较高的应用需求。其封装形式为陶瓷/金属密封结构（SOT-759），具备优异的散热性能和可靠性，可在严苛环境（如高温、高湿、强电磁干扰）下长期工作。 此外，该器件还常用于广播通信设备、远程无线中继站和军事通信系统中，支持模拟与数字调制方式，确保信号传输的保真度和覆盖范围。由于其出色的互调失真性能，有助于减少相邻信道干扰，提升整体通信质量。 综上所述，AFT21S230SR3 主要应用于专业级射频通信系统中的功率放大环节，尤其适合对稳定性、效率和线性度要求较高的中高功率无线发射设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 2.1GHZ 230W NI780S-6 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT21S230SR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S-6 |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.7dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 1.5A |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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