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  • 型号: 71V67703S85BQG
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V67703S85BQG由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V67703S85BQG价格参考。Integrated Device Technology71V67703S85BQG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V67703S85BQG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V67703S85BQG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V67703S85BQG 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)出品的一款高速CMOS静态RAM(SRAM),容量为2M × 18位(即36Mb),采用85ns访问时间,封装为119-pin BGA(BQG)。该器件属于异步SRAM,支持工业级工作温度(–40°C 至 +85°C),具备低功耗、高可靠性及无时钟、零等待态读写特性。

其典型应用场景包括:  
- 通信设备:用于网络交换机、路由器、基站中的数据包缓存、FIFO缓冲或控制表暂存;  
- 工业自动化与嵌入式系统:作为PLC、运动控制器或实时I/O模块的高速临时数据存储,满足确定性响应需求;  
- 测试测量仪器:在示波器、逻辑分析仪中用作深度采样缓存,支撑高速数据捕获与暂存;  
- 军事/航空电子:因BGA封装和工业级温宽,适用于抗振、宽温环境下的关键缓存节点(需结合具体认证等级评估);  
- 老一代FPGA/CPU协处理器扩展内存:为不带片上大容量缓存的处理器提供高速外部存储支持(如PowerPC、SH系列早期设计)。

需注意:该型号已进入产品寿命末期(EOL),瑞萨官网显示其为“Not Recommended for New Designs”,新项目建议选用更现代的低功耗DDR或QDR SRAM替代方案。实际应用中需关注电源管理(3.3V核心/IO)、地址/数据总线隔离及信号完整性设计。
产品参数 图文手册 常见问题
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