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- 型号： 71V424YS12PHI
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V424YS12PHI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V424YS12PHI价格参考。Integrated Device Technology71V424YS12PHI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V424YS12PHI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V424YS12PHI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V424YS12PHI 是 IDT（Integrated Device Technology，现属瑞萨电子）推出的高速异步静态RAM（SRAM），容量为256K × 8位（即256KB），访问时间12ns，采用3.3V供电，封装为54引脚TSOP-II（薄型小外形封装）。 该器件典型应用于对读写速度、低延迟和高可靠性要求严苛的嵌入式系统中，例如： - 通信设备：路由器、交换机中的数据包缓存、FIFO缓冲及控制表暂存； - 工业控制：PLC、运动控制器中实时I/O数据交换与状态暂存； - 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪的高速采样数据缓存； - 航空航天与军工设备：因具备宽温工业级工作范围（–40°C 至 +85°C）及稳定异步接口，适用于抗干扰强、不可依赖时钟同步的关键子系统； - 传统FPGA/CPU协处理器本地缓存：作为主处理器或FPGA的片外高速缓存（Scratchpad RAM），弥补片内资源不足。 需注意：该型号已停产（EOL），属成熟工业级SRAM，当前多用于维护既有设备或对供应链稳定性要求高的长生命周期项目，不推荐新设计首选。应用中需配合匹配的地址/数据总线驱动及电源滤波设计，以保障12ns级时序稳定性。
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