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  • 型号: 71V424L10YI
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V424L10YI由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V424L10YI价格参考。Integrated Device Technology71V424L10YI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V424L10YI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V424L10YI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V424L10YI 是 IDT(Integrated Device Technology,现属瑞萨电子)推出的一款高速异步静态RAM(SRAM),容量为256K×4位(即1Mbit),采用CMOS工艺,工作电压3.3V,访问时间10ns(“L10”即代表10ns),工业级温度范围(–40°C 至 +85°C,“YI”后缀标识工业级封装与温度特性)。  

该器件典型应用于对读写速度、可靠性和低功耗有较高要求的嵌入式系统中,如:  
- 通信设备中的缓存与数据缓冲(如网络交换机、路由器的数据包缓存、FIFO暂存);  
- 工业控制PLC、运动控制器及实时数据采集系统中的高速暂存区;  
- 医疗电子设备(如影像处理板卡、监护仪)中需确定性低延迟访问的临时数据存储;  
- 航空航天与军工领域(因工业级温度与高可靠性)的抗干扰嵌入式模块;  
- FPGA/ASIC外围高速缓存,用于弥补主处理器与慢速存储器(如Flash、SDRAM)之间的带宽鸿沟。  

注意:该型号已停产多年,属经典老器件,当前多用于产线维护、备件替换或特定国产化替代方案的兼容设计中。实际应用中需关注供货渠道、长期可靠性验证及潜在的替代选型(如ISSI或Winbond同类SRAM)。
产品参数 图文手册 常见问题
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