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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 71V416S12Y
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V416S12Y由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V416S12Y价格参考。Integrated Device Technology71V416S12Y封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V416S12Y参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V416S12Y 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的71V416S12Y是一款高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为256K×16位（即512KB），访问时间为12ns，采用3.3V单电源供电，封装形式为SOJ-44或TSOP-44。其典型应用场景包括： - 嵌入式系统缓存与缓冲：用于工业控制、通信设备（如路由器、交换机）中作为CPU或DSP的高速片外缓存或数据缓冲区，满足低延迟、高可靠性的实时数据存取需求。 - 网络与电信设备：在帧缓冲、包处理、协议转换等模块中暂存高速传输的数据流，利用其零等待周期、异步读写特性保障吞吐效率。 - 测试测量仪器：如逻辑分析仪、示波器等需快速采集并暂存大量采样数据的设备，71V416S12Y可提供稳定、无刷新的高速存储支持。 - 军事与航空电子：凭借宽温范围（工业级-40℃~+85℃）、高抗干扰性及成熟可靠性，适用于对稳定性要求严苛的航电、雷达信号处理单元。 需注意：该器件已停产（End-of-Life），IDT后被瑞萨电子（Renesas）收购，当前多由替代型号（如Renesas的IS61WV25616BLL）承接应用，设计中建议评估兼容性并参考最新迁移指南。
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