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  • 型号: 71V416S10PH
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V416S10PH由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V416S10PH价格参考。Integrated Device Technology71V416S10PH封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V416S10PH参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V416S10PH 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V416S10PH 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的一款高速异步静态RAM(SRAM),容量为256K×4位(即1Mb),访问时间为10ns,采用32引脚PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)封装,工作电压为3.3V。

其主要应用场景包括:  
- 工业控制设备:用于PLC、运动控制器等需高可靠性与快速数据存取的实时系统;  
- 通信设备:在路由器、交换机及基站的缓冲存储、地址查表(如CAM替代)、协议处理缓存中提供低延迟读写支持;  
- 测试测量仪器:如逻辑分析仪、示波器的数据采集缓存,依赖其确定性访问时序和零等待状态特性;  
- 嵌入式系统与FPGA协处理器接口:作为FPGA或DSP的高速外部数据/指令缓存,弥补片上资源不足;  
- 军事与航空电子(符合工业级温度范围–40°C至+85°C):适用于对温度适应性、抗干扰性及长期稳定性要求严苛的场景。

该器件不支持掉电保存,属易失性存储器,因此不适用于数据持久化场景,而是聚焦于需要纳秒级响应、无刷新开销、确定性时序的关键缓存与暂存应用。
产品参数 图文手册 常见问题
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