【未分类_71V416L10BEG】封装/厂家_71V416L10BEG中文资料_价格

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型号： 71V416L10BEG
制造商： Integrated Device Technology
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供71V416L10BEG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V416L10BEG价格参考。Integrated Device Technology71V416L10BEG封装/规格：未分类，暂无。您可以下载71V416L10BEG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V416L10BEG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V416L10BEG 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）出品的一款高速异步静态RAM（SRAM），容量为256K × 4位（即1Mb），访问时间为10ns，采用32引脚SOJ封装，工作电压为3.3V。

其典型应用场景包括：  
- 工业控制设备：如PLC、运动控制器等需高可靠、低延迟数据缓存的实时系统；  
- 通信基础设施：用于网络交换机、路由器中的包缓冲、FIFO暂存或地址查表（如CAM辅助缓存）；  
- 测试与测量仪器：示波器、逻辑分析仪中用作高速采样数据的临时存储；  
- 嵌入式系统前端缓存：在无片上大容量RAM的MCU/DSP系统中，作为外扩高速缓存或帧缓冲；  
- 军事/航空电子：因该器件具备宽温（-40°C ~ +85°C）、抗干扰性强及成熟可靠的CMOS工艺，适用于对稳定性要求严苛的加固型设备。

需注意：该型号已进入产品生命周期末期（EOL），瑞萨官网显示其停产（Not Recommended for New Designs），新设计建议选用更现代的低功耗、小封装替代品（如IS61WV系列或瑞萨新型QDR/DDR SRAM）。实际应用中应重点关注电源稳定性、PCB布局（阻抗匹配与去耦）及读写时序裕量。

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