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  • 型号: 71V3577S75BG
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V3577S75BG由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V3577S75BG价格参考。Integrated Device Technology71V3577S75BG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V3577S75BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V3577S75BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V3577S75BG 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的一款高性能、低功耗、3.3V 供电的 32K × 36位同步SRAM(静态随机存取存储器),采用BGA封装(119-ball fine-pitch BGA),访问时间为7.5ns。

其典型应用场景包括:  
- 网络通信设备:用作路由器、交换机、防火墙中的高速数据包缓存或查找表(如TCAM辅助缓存、FIB缓存),满足线速转发对低延迟、高带宽的要求;  
- 电信基础设施:在基站基带处理单元(BBU)、光传输设备(OTN/SDH)中承担实时信号处理中间缓冲,支持多端口并行读写;  
- 工业与嵌入式系统:用于高端PLC、运动控制器或测试仪器中,作为CPU或DSP的高速本地工作内存,保障确定性实时响应;  
- 视频与图像处理:在视频编解码卡、医疗影像设备中暂存帧缓冲(Frame Buffer)或系数数据,利用其突发读写模式提升吞吐效率;  
- 军事/航天加固应用(需选用对应等级版本):在雷达信号处理、电子战系统中提供抗干扰、高可靠的数据暂存能力(本型号为商用级,但设计具备良好稳定性)。

该器件支持JTAG边界扫描、可编程写使能(GW#)、字节写控制及时钟使能(CEN)等特性,便于系统集成与功耗管理,适用于对速度、可靠性及接口灵活性要求严苛的中高端嵌入式场景。
产品参数 图文手册 常见问题
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