Datasheet下载- 型号： 71V124SA10YG8
- 制造商： Integrated Device Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V124SA10YG8由Integrated Device Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V124SA10YG8价格参考。Integrated Device Technology Inc71V124SA10YG8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V124SA10YG8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V124SA10YG8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）生产的71V124SA10YG8是一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），属于低功耗、高性能的异步SRAM产品系列。该型号为16位数据宽度、容量为512K × 16位（即1M字节）的静态存储器，工作电压为3.3V，访问时间最快可达10纳秒，适用于对速度和稳定性要求较高的实时数据处理场景。 71V124SA10YG8主要应用于通信设备、网络基础设施和工业控制领域。例如，在路由器、交换机、基站等网络设备中，用于暂存路由表、缓存数据包或实现高速数据转发；在电信系统中支持信令处理和协议转换；也可用于测试测量仪器、医疗成像设备和军事电子系统中，作为临时数据缓冲或程序存储使用。其高速读写能力和高可靠性，使其特别适合需要快速响应和连续运行的嵌入式系统。 此外，该器件采用小型化封装（如TSOP），便于在空间受限的电路板上布局，同时具备良好的温度适应性，可在工业级温度范围内稳定工作，适用于严苛环境下的应用。由于SRAM无需刷新、控制简单，71V124SA10YG8也常被用于替代DRAM在某些特定场合，以提升系统响应速度与稳定性。
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