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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 71V124SA10Y
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V124SA10Y由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V124SA10Y价格参考。Integrated Device Technology71V124SA10Y封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V124SA10Y参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V124SA10Y 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的71V124SA10Y是一款高速、低功耗的32K × 8位（256Kb）CMOS静态RAM（SRAM），采用3.3V单电源供电，访问时间为10ns（-10Y后缀表示10ns速度等级），封装为SOJ-32或TSOP-32。其典型应用场景包括： - 嵌入式系统缓存与缓冲：用于工业控制、网络设备（如交换机/路由器中的数据包缓存）、通信模块中作为CPU或FPGA的高速暂存存储器，提升数据吞吐效率。 - 实时信号处理：在DSP或FPGA协处理器中作为双端口或单端口工作模式下的临时数据存储区，满足音频、视频或传感器数据的快速读写需求。 - 测试与测量仪器：如逻辑分析仪、示波器等需高速采集和暂存大量采样数据的设备中，提供确定性低延迟访问。 - 军事与航空电子设备：得益于其宽温范围（工业级-40°C至+85°C）、高可靠性及无刷新设计，适用于对稳定性要求严苛的车载、机载控制系统。 该器件不具非易失性，需持续供电保持数据；常与微控制器、CPLD/FPGA配合使用，作为片外高速RAM扩展主控内存资源。目前已随瑞萨收购IDT（2019年）纳入瑞萨产品线，但型号仍广泛沿用，技术支持与替代方案由瑞萨提供。
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图文手册
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