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- 型号： 71V016SA10YG
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V016SA10YG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V016SA10YG价格参考。Integrated Device Technology71V016SA10YG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V016SA10YG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V016SA10YG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V016SA10YG 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）旗下的一款高速异步静态RAM（SRAM），容量为1Mb（128K × 8位），访问时间10ns，采用3.3V单电源供电，封装为SOJ-32（符合JEDEC标准）。其典型应用场景包括： - 工业控制与自动化设备：用于PLC、运动控制器、HMI等人机界面中，作为高速缓存或临时数据缓冲，满足实时响应需求； - 通信设备：在交换机、路由器、基站基带处理单元中，承担帧缓存、FIFO缓冲、协议栈临时存储等功能； - 嵌入式系统与FPGA协处理器接口：常作为FPGA或DSP的外部高速数据存储器，支持突发读写与低延迟访问； - 测试测量仪器：如数字示波器、逻辑分析仪等，用于高速采样数据的暂存； - 汽车电子（非安全关键域）：适用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘显示控制等对可靠性与温度范围（工业级–40℃至+85℃）有要求的场景。 该器件不带内置电池或非易失性特性，断电即失数据，因此不适用于需掉电保存的应用。其高可靠性、宽温工作能力及成熟工艺，使其在对稳定性与确定性时序要求严苛的传统嵌入式领域仍具实用价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | IDT |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
| 产品分类 | 集成电路 - IC |
| 产品手册 | http://www.idt.com/document/dst/71v016sa-datasheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,IDT 71V016SA10YG |
| 产品型号 | 71V016SA10YG |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 商标 | IDT |
| 存储容量 | 1 Mbit |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | SOJ-44 |
| 工厂包装数量 | 16 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最大工作电流 | 160 mA |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3.15 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | 71V016 |
| 组织 | 64 k x 16 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 零件号别名 | 71V016 IDT71V016SA10YG |
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