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- 型号： 71T016SA12PH
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71T016SA12PH由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71T016SA12PH价格参考。Integrated Device Technology71T016SA12PH封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71T016SA12PH参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71T016SA12PH 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71T016SA12PH 是 IDT（现属瑞萨电子）出品的一款高速异步静态RAM（SRAM），容量为1 Mbit（128K × 8位），采用3.3V供电，封装为54-pin TSOP-II（71T016SA12PH中的“PH”即指该封装）。其典型访问时间为12ns，具备低功耗、高可靠性与快速读写特性。 主要应用场景包括： - 通信设备：用于网络交换机、路由器、基站中的数据缓存、FIFO缓冲及控制表暂存； - 工业控制与自动化系统：作为PLC、运动控制器或HMI中实时数据暂存、状态寄存器或双端口共享内存（需配合外部仲裁）； - 测试测量仪器：在示波器、逻辑分析仪中用作高速采集数据的临时缓存； - 嵌入式系统：为无内置大容量SRAM的MCU或FPGA提供扩展数据存储，支持频繁读写的中间变量、堆栈或帧缓冲； - 军事/航空航天（宽温版本）：因该器件有工业级（–40°C 至 +85°C）及部分宽温型号，适用于高可靠性要求场景（需确认具体批次温度等级）。 注意：该芯片为并行接口异步SRAM，不带内置刷新电路，无需时钟，但需外部地址/数据总线及控制信号（CE#/OE#/WE#）管理。目前已逐步被更高速、更低功耗的QDR SRAM或片上存储替代，但在维护现有工业设备或对成本/兼容性敏感的设计中仍有应用。
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