图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供71256SA35SOG1由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71256SA35SOG1价格参考。Integrated Device Technology71256SA35SOG1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71256SA35SOG1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71256SA35SOG1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America Inc. 的型号 71256SA35SOG1 是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),容量为256K×1位(即32KB),采用CMOS工艺,访问时间为35ns,封装为28引脚SOIC(宽体)。该器件属于工业级、宽温(–40°C 至 +85°C)、低功耗SRAM,无内置电池,非易失性需外接备用电源或配合外部控制器实现数据保持。 典型应用场景包括: - 工业自动化设备中的实时数据缓存与暂存,如PLC、运动控制器、HMI人机界面的缓冲区; - 通信设备(如路由器、交换机、基站基带单元)中用于帧缓存、FIFO队列或协议处理中间数据暂存; - 医疗电子设备(如监护仪、影像采集前端)中对时序敏感、需零等待周期的高速数据采集缓冲; - 航空航天及轨道交通等高可靠性领域中,作为FPGA/ASIC的外挂高速工作RAM(因其抗辐射等级较高、温度特性稳定); - 老旧嵌入式系统升级或军工遗留平台替代(兼容经典28-pin JEDEC标准,可替换同类Intel、Cypress老型号)。 需注意:该芯片为异步SRAM,无内置刷新逻辑,适用于对确定性延迟要求严苛、且主控能提供稳定地址/控制时序的场景;不适用于需长期断电保存数据的应用(非NVSRAM),须配合外部电路实现掉电保持。