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  • 型号: 71256L25YG
  • 制造商: Integrated Device Technology
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71256L25YG由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71256L25YG价格参考。Integrated Device Technology71256L25YG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71256L25YG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71256L25YG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71256L25YG 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)出品的一款高速CMOS静态RAM(SRAM),容量为256K×1位(即32KB),访问时间为25ns,采用双列直插封装(DIP)或陶瓷DIP(如型号后缀“YG”通常指陶瓷DIP-28)。  

该器件主要面向对速度、可靠性和宽温/工业环境适应性有要求的嵌入式系统。典型应用场景包括:工业自动化控制器中的高速缓存或数据缓冲;通信设备(如早期程控交换机、网络接口卡)中用于暂存协议数据包;测试测量仪器(如逻辑分析仪、示波器)的实时采样数据缓存;以及航空航天与国防领域中需耐受宽温(–40°C 至 +85°C)、抗干扰能力强的军用级电子模块。  

因其为异步SRAM,无需时钟驱动,接口简单(地址/数据/控制线分离),常被用于替代老式系统中已停产的同类芯片(如ISSI或Cypress的兼容型号),适用于需要长生命周期支持、低功耗升级和高稳定性的存量设备维护与替换。  

注意:该型号属较早期产品(90年代主流),目前已停产,现多用于老旧设备维保或特殊工控场景,新设计建议评估瑞萨当前SRAM产品线(如IS61WV系列兼容方案)或转向更集成的MCU片上RAM方案。
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