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- 型号： 71016S12Y
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71016S12Y由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71016S12Y价格参考。Integrated Device Technology71016S12Y封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71016S12Y参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71016S12Y 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的71016S12Y是一款高速异步静态RAM（SRAM），容量为1Mb（128K × 8位），访问时间为12ns，采用CMOS工艺，封装形式为SOJ-32。该器件典型应用于对读写速度、低功耗和高可靠性要求较高的嵌入式系统中。 主要应用场景包括： - 通信设备：如网络交换机、路由器中的数据包缓存、FIFO缓冲及控制表存储； - 工业控制与自动化：PLC、运动控制器等实时系统中作为临时数据暂存或寄存器文件扩展； - 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪中用于高速采样数据的暂存； - 军事/航空电子系统：因具备宽温范围（-40°C至+85°C）、抗干扰能力强及无刷新需求，适用于高可靠性场景； - 数字信号处理（DSP）外围：为DSP芯片提供低延迟外部数据存储，配合算法运行中的中间变量缓存。 需注意：71016S12Y为并行接口异步SRAM，不支持突发访问，设计时需匹配地址/数据总线时序，并注意电源去耦与信号完整性。随着IDT于2019年被瑞萨电子（Renesas）收购，该型号已进入产品生命周期后期（NRND或停产状态），新设计建议评估替代型号（如Renesas同类SRAM或更现代的低功耗QDR/DDR SRAM方案）。
产品参数
图文手册
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