Datasheet下载- 型号： 5LP01M-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5LP01M-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LP01M-TL-E价格参考。ON Semiconductor5LP01M-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5LP01M-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5LP01M-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 5LP01M-TL-E 是一款 P 沟道增强型 MOSFET（逻辑电平驱动），采用小型 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.2Ω @ VGS = −4.5V）、低阈值电压（VGS(th) 典型值 −0.6V）和超低栅极电荷（Qg ≈ 0.8nC），适合低压、小电流开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，降低待机功耗； ✅ LED 驱动与背光控制：在低电压（如 1.8–3.3V）系统中作为高效开关，驱动小功率 LED 或段式 LCD 背光； ✅ USB 接口/Type-C 电源路径管理：配合限流IC实现反向电流阻断或VBUS开关； ✅ 微控制器（MCU）GPIO 扩展驱动：因支持逻辑电平（3.3V/2.5V 即可完全导通），可直接由 MCU IO 驱动，无需额外电平转换或驱动电路； ✅ DC-DC 转换器辅助电路：如同步整流的低端开关（适用于小功率Buck架构）、软启动控制或使能信号隔离。 其微型封装（SOT-23）和低功耗特性特别适用于空间受限、电池供电的物联网终端、传感器节点及消费类电子。不适用于大电流（＞500mA持续）或高压（＞12V）场景，亦非功率级主开关器件。选型时需注意其最大漏源电压 VDS = −12V，连续漏极电流 ID = −350mA（TA=25°C），建议降额使用以确保可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V .07A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 5LP01M-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7.4pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 欧姆 @ 40mA，4V |
| 供应商器件封装 | 3-MCP |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70mA （Ta） |
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