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  • 型号: 5KP110E3/TR13
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供5KP110E3/TR13由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5KP110E3/TR13价格参考。American Microsemiconductor, Inc.5KP110E3/TR13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载5KP110E3/TR13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有5KP110E3/TR13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

5KP110E3/TR13 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的 5kW 瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),属于单向(Uni-directional)高能量TVS,击穿电压典型值约122 V,钳位电压约179 V(在峰值脉冲电流5.3 A下),适用于严苛的浪涌防护场景。

其主要应用场景包括:  
- 工业电源与电机驱动系统:用于保护PLC、变频器、伺服驱动器等设备的直流母线或控制电路,抵御雷击感应浪涌(如IEC 61000-4-5 Level 4,4 kV/2 Ω组合波)及开关操作引起的高压瞬变。  
- 通信基础设施:在基站电源输入端、PoE供电接口或室外光模块供电线路中,提供一次或二次级过压防护。  
- 铁路与能源系统:适用于轨道交通车载电源、智能电表、光伏逆变器直流侧等宽温(–65°C 至 +175°C)、高可靠性要求环境。  
- 军工与航空航天衍生应用:凭借Microsemi在高可靠性器件领域的认证背景(如MIL-STD-750/883兼容设计),可用于对ESD和EFT(电快速瞬变)敏感的航电辅助电源接口。

该器件采用DO-204AR(Axial Leaded)封装,带卷带包装(TR13表示13英寸卷盘),便于自动化贴装;其5 kW峰值脉冲功率(10/1000 μs波形)和低箝位比(Vc/Vbr ≈ 1.47)确保被保护IC(如MCU、栅极驱动器、ADC)承受更低应力。需注意:单向结构仅适用于直流或正向偏置电路,交流应用须配对使用或选用双向型号。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 110VWM 196VC P600

产品分类

TVS - 二极管

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11087-sd6a-pdf

产品图片

产品型号

5KP110E3/TR13

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同频率时的电容

-

供应商器件封装

P600

功率-峰值脉冲

5000W (5kW)

包装

带卷 (TR)

单向通道

1

双向通道

-

安装类型

通孔

封装/外壳

P600,轴向

工作温度

-55°C ~ 175°C

应用

通用

标准包装

500

电压-击穿(最小值)

122V

电压-反向关态(典型值)

110V

电压-箝位(最大值)@Ipp

196V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

25.5A

电源线路保护

类型

齐纳

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