【未分类_5HN02N】封装/厂家_5HN02N中文资料_价格

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型号： 5HN02N
制造商： SNY
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供5HN02N由SNY设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5HN02N价格参考。SNY5HN02N封装/规格：未分类，暂无。您可以下载5HN02N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5HN02N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

5HN02N 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值约 2.5Ω @ Vgs=10V）、低栅极电荷及快速开关特性。其额定参数为：Vds = 30V，Id = 200mA（连续），Pd ≈ 350mW。

该器件主要面向低功耗、小电流、空间受限的便携式电子应用，典型应用场景包括：

- 电池供电设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备（智能手表/手环）中的LED背光驱动、传感器供电开关或电池充放电路径控制；
- 信号级开关与逻辑电平转换：在MCU GPIO驱动能力不足时，用作I/O扩展开关，控制小电流负载（如LED指示灯、蜂鸣器、小型继电器线圈）；
- DC-DC转换器辅助电路：用于同步整流（在微型升压/降压模块中作续流开关）、使能控制或反馈回路中的模拟开关；
- 消费类电子中的负载开关：如USB外设供电管理、SD卡/传感器模块的上电时序控制，实现低静态电流（关断漏电流<1nA）和快速启停；
- 工业与IoT节点：用于微功率传感器节点的电源门控，延长电池寿命。

注意：因电流能力有限（仅200mA），不适用于电机驱动、大电流LED或主电源开关等场景；SOT-23封装散热能力弱，需避免持续高功耗工况。设计中应确保Vgs ≥ 4.5V以充分导通，并注意PCB散热焊盘设计。

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