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- 型号： 5962-9859101NXB
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5962-9859101NXB由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5962-9859101NXB价格参考。Harris5962-9859101NXB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5962-9859101NXB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5962-9859101NXB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
5962-9859101NXB 是一款由美国德州仪器（TI）设计、符合军用标准（MIL-PRF-38535）的高速静态随机存取存储器（SRAM），属于抗辐射加固（Rad-Hard）器件，常用于高可靠性、高辐射环境下的关键系统。其典型应用场景包括：航天飞行器（如卫星、深空探测器）的星载计算机与数据缓存系统；弹道导弹、制导武器等军用平台的火控与导航处理器内存；核反应堆监控系统及空间辐射试验载荷中的数据暂存模块。该器件工作温度范围宽（−55℃～+125℃），支持抗单粒子翻转（SEU）和总剂量辐照（TID ≥ 100 krad(Si)），具备锁步校验与冗余设计能力，适用于对功能安全与长期稳定性要求极高的任务关键型嵌入式系统。需注意：该型号已停产，当前多用于在役航天器的维护备件或寿命末期系统延寿支持，新研项目通常选用更新一代的抗辐照SRAM替代。
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