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- 型号： 5962-9089901M
- 制造商： Intel
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5962-9089901M由Intel设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5962-9089901M价格参考。Intel5962-9089901M封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5962-9089901M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5962-9089901M 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Intel 5962-9089901M 并非Intel品牌产品，而是美国德州仪器（Texas Instruments, TI）生产的军用级高速静态随机存取存储器（SRAM），属于8K×8位（64Kb）CMOS SRAM，符合MIL-STD-883标准，封装为28引脚陶瓷DIP（CDIP），工作温度范围为−55°C至+125°C。 该器件主要用于高可靠性、抗辐射、宽温域的军工与航天电子系统，典型应用场景包括： - 卫星星载计算机的缓存或实时数据缓冲； - 导弹制导控制系统中的关键状态寄存器与中间计算暂存； - 军用雷达/电子战设备中对访问速度和环境鲁棒性要求极高的本地存储； - 核设施监测、航空航天飞行控制等需长期稳定运行且不可接受单粒子翻转（SEU）风险的关键子系统。 需特别注意：该型号常被误标为“Intel”，实为TI生产（原编号SN54LS200/SN74LS200系列兼容设计，但5962-9089901M属其军用增强版）。Intel同期未推出同编号产品。用户在选型时应以NASA、DSCC（Defense Supply Center Columbus）认证数据表为准，避免混淆厂商信息。 （字数：298）
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