Datasheet下载- 型号： 3SK264-5-TG-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3SK264-5-TG-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3SK264-5-TG-E价格参考。ON Semiconductor3SK264-5-TG-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3SK264-5-TG-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3SK264-5-TG-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 15V .03AMOSFET NCH DUAL GATE MOS FET |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 3SK264-5-TG-E- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 3SK264-5-TG-E |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 15 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-CP |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数 | 2.2dB |
| 增益 | 23dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-143R |
| 封装/箱体 | CP4-4 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 17 mS |
| 电压-测试 | 6V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 系列 | 3SK264 |
| 配置 | Dual |
| 频率 | 200MHz |
| 额定电流 | 30mA |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
