Datasheet下载- 型号： 3KASMC33HE3_A/I
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3KASMC33HE3_A/I由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3KASMC33HE3_A/I价格参考。Vishay3KASMC33HE3_A/I封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3KASMC33HE3_A/I参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3KASMC33HE3_A/I 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的 3KASMC33HE3_A/I 是一款3.0 kW、33 V（击穿电压标称值）的单向TVS（瞬态电压抑制）二极管，采用SMC（DO-214AB）表面贴装封装，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（后缀“A/I”代表符合汽车应用要求）。 其主要应用场景包括： - 汽车电子系统保护：用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器（如雷达、摄像头模块）、车身控制单元（BCM）、CAN/LIN总线接口等，抵御ISO 7637-2/3及ISO 16750规定的抛负载（load dump）、感性开关瞬变、静电放电（ESD）等高压浪涌。 - 工业与电源系统：保护DC-DC转换器输入端、电机驱动器控制电路、PLC I/O端口等免受雷击感应浪涌或开关噪声冲击。 - 通信设备接口防护：适用于RS-485、CAN、USB电源线等中低速接口的二级过压防护（常与GDT或PTC配合构成多级防护方案）。 该器件具有低钳位电压（典型VC ≈ 53.3 V @ IPP = 56.3 A）、快速响应（<1 ps）、高浪涌耐受能力（3 kW, 10/1000 µs波形），且结电容低（≈250 pF），兼顾防护性能与信号完整性。适用于需高可靠性、宽温范围（–65 °C 至 +175 °C）及AEC-Q101认证的严苛环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 33VWM 59VC DO214AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 3KASMC33HE3_A/I |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PAR® |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-214AB （SMCJ） |
| 功率-峰值脉冲 | 3000W （3kW） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 工作温度 | -65°C ~ 185°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 3,500 |
| 电压-击穿（最小值） | 36.7V |
| 电压-反向关态（典型值） | 33V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 59V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 50.8A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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