Datasheet下载- 型号： 3EZ91D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ91D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ91D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ91D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ91D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ91D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ91D2E3/TR8是一款91V、1W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为精密电路（如ADC参考源、传感器供电）提供稳定91V基准电压，适用于对温漂和长期稳定性要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于开关电源、LED驱动或工业控制板的输入端，与TVS或MOSFET配合，钳位瞬态高压（如雷击或开关浪涌），防止后级器件损坏。 3. 浪涌吸收与箝位电路：在继电器线圈、感性负载关断时，作为续流/箝位元件，抑制反向电动势（如91V钳位点可匹配特定系统耐压等级）。 4. 反馈环路补偿：在隔离型DC-DC转换器（如反激拓扑）的光耦反馈侧，辅助设定初级侧控制器的启动/关断阈值。 需注意：该器件额定功率为1W，最大齐纳电流约10mA（91V×10mA=0.91W），实际应用中应留足降额余量（建议≤0.5W持续功耗），并关注其齐纳电压容差（通常±5%）、动态阻抗（约350Ω）及温度系数（约+0.08%/°C），避免高温环境下基准漂移。不适用于高精度或高频噪声敏感场景，此时建议选用低温漂基准IC替代。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 91V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ91D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 69.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 91V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 115 欧姆 |
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