Datasheet下载- 型号： 3EZ9.1D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ9.1D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ9.1D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ9.1D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 9.1V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为ADC、DAC、传感器或微控制器提供稳定9.1V参考电压；适用于线性稳压器的误差放大器基准源。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用于保护敏感IC（如通信接口、MCU I/O口）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损害。 3. 电平钳位与信号整形：在模拟前端或数字逻辑接口中，将信号峰值钳位于9.1V，防止后级电路饱和或损坏，常见于工业传感器信号调理电路。 4. 电源监控与复位电路：配合比较器构成简易电源欠压/过压检测电路，保障系统上电时序与可靠性。 5. 消费电子与工业控制电源：广泛用于机顶盒、LED驱动器、PLC模块、仪表电源等对成本、尺寸和稳定性有要求的中低功率场景。 该器件具备±5%容差、低动态阻抗（典型值约10Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ 0.07%/°C），且符合AEC-Q200（部分批次），亦可用于汽车电子辅助系统。注意需合理设计散热（PCB铜箔面积≥25mm²）以维持3W额定功率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 9.1V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ9.1D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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