Datasheet下载- 型号： 3EZ9.1D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ9.1D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ9.1D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ9.1D/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为9.1 V，功率为3 W，采用DO-41塑料封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定基准电压，适用于对精度和温漂要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）与箝位：在电源输入端或敏感IC接口处，与限流电阻配合，将瞬态过压箝位在约9.1 V，防止后级器件损坏，常用于工业控制板、通信模块电源入口保护。 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助：虽非专用TVS，但在低能量浪涌或静电放电场景中可作为低成本箝位元件，常与陶瓷电容、PTC协同使用于消费电子或嵌入式设备的I/O端口保护。 4. 简单线性稳压器替代方案：在微电流负载（如微控制器复位电路、LED恒流偏置）中，替代三端稳压器以简化设计、降低成本与PCB面积。 该器件具有良好的长期稳定性、低动态阻抗（典型值<10 Ω）及较宽工作温度范围（–65°C 至 +175°C），适用于工业、汽车电子（非安全关键系统）、仪器仪表及通用电源管理等中可靠性要求场景。注意：实际应用中需合理计算功耗（P = Vz × Iz），确保不超过3 W额定功率，并留有足够降额余量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 9.1V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ9.1D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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