Datasheet下载- 型号： 3EZ8.2D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ8.2D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ8.2D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ8.2D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ8.2D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ8.2D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ8.2D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的 8.2V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有 ±5% 容差（D5 等级）、低动态阻抗和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC 参考源）提供稳定 8.2V 基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或MOSFET配合，用于电源输入端的钳位保护，防止瞬态高压损坏后级IC（如FPGA、MCU供电轨）； 3. 浪涌抑制：在工业控制、通信设备或汽车电子中，吸收感应负载关断或ESD引起的短时脉冲能量； 4. 反馈环路箝位：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈或误差放大器中，限制参考电压节点电平，提升系统可靠性； 5. 低成本稳压替代方案：适用于对精度要求适中、成本敏感且无需LDO复杂性的场合（如LED恒流驱动偏置、微控制器复位电路辅助稳压）。 该器件具备AEC-Q200兼容性（依具体批次），适用于工业、通信及部分车规级环境。TR12表示卷带包装，适合自动化贴片生产。需注意其功耗限制（3W），设计时应确保平均功耗不超过额定值，并考虑散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 8.2V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ8.2D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.3 欧姆 |
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