Datasheet下载- 型号： 3EZ8.2D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ8.2D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ8.2D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ8.2D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ8.2D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ8.2D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ8.2D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为8.2 V，功率为3 W，容差±5%，采用DO-41塑料封装，卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路、传感器供电或ADC参考源中，提供稳定8.2 V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位电源线或信号线瞬态电压，防止后级IC（如MCU、运放）损坏； 3. 电源反馈环路：用于低成本线性稳压器（如78xx系列辅助稳压）或开关电源的次级侧误差检测； 4. 电平转换与箝位：在接口电路（如RS-232、GPIO保护）中限制信号摆幅，防止超限输入； 5. 工业与汽车电子：凭借Microsemi/ Microchip的高可靠性认证（AEC-Q200兼容型号可选），适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对温度稳定性（-65℃~+175℃）和长期可靠性要求较高的场景。 该器件具有低动态阻抗、良好温度系数（约−1.5 mV/℃）及快速响应特性，适合中等精度、非极端环境下的稳压与保护需求。需注意：实际应用中应校核功耗（P = Vz × Iz）、散热条件及浪涌耐受能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 8.2V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ8.2D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.3 欧姆 |
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