Datasheet下载- 型号： 3EZ7.5D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ7.5D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ7.5D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ7.5D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ7.5D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ7.5D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ7.5D10E3/TR12是一款7.5V、1W额定功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中提供稳定7.5V基准电压，适用于对精度和温度稳定性要求适中的场合。 2. 过压保护与钳位：用于IC输入/输出端口或电源轨的瞬态电压抑制（TVS辅助功能），将异常电压钳位于约7.5V，防止后级器件（如MCU、运放）因过压损坏。 3. 电源反馈环路：在低成本线性稳压器（如78xx系列辅助电路）或开关电源的光耦反馈路径中，作为误差检测的基准元件。 4. 工业与通信设备：广泛应用于工业控制模块、楼宇自动化、有线通信接口（如RS-232/485收发器保护）、仪器仪表等对可靠性及长期稳定性有要求的场景。 该器件具有±5%标称电压容差（7.5V）、低动态阻抗（典型值15Ω）、良好热稳定性（TCV≈0.06%/°C）及符合AEC-Q200（部分批次）和RoHS标准，适合宽温工业级应用（-65°C ~ +175°C）。注意：其1W功率需配合足够散热设计，避免连续满载导致温升超标。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 7.5V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ7.5D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 5V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 7.5V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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