Datasheet下载- 型号： 3EZ68D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ68D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ68D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ68D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ68D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ68D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ68D10/TR8是一款6.8V、1W额定功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8表示每卷8000只）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路中提供稳定参考电压，如传感器信号调理、ADC/DAC基准源、电源监控电路等； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，用于IC输入端的钳位保护，防止瞬态高压损坏敏感器件； 3. 电源稳压辅助：在小电流负载（≤150mA）场合，作为线性稳压器的误差放大参考，或为LDO提供基准； 4. 浪涌抑制与箝位：在通信接口（如RS-232、CAN总线收发器）中实现ESD/浪涌电压箝位； 5. 工业控制与嵌入式系统：适用于PLC模块、仪表电源、电池电压监测等对成本和可靠性要求较高的场景。 该器件具有±5%电压容差（标称6.8V）、低动态阻抗（约5Ω @ IZ=20mA）、良好温度稳定性（TC ≈ 0.05%/°C），适合中低温漂要求的应用。需注意其功耗限制（1W），设计时须确保散热充分，并避免持续工作在最大额定电流下。不适用于高精度基准（如需ppm级稳定性）或大电流稳压场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 68V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ68D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 51.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 68V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 70 欧姆 |
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