Datasheet下载- 型号： 3EZ6.8DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.8DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.8DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现属Microchip Technology）的3EZ6.8DE3/TR8是一款6.8V、3W通孔式齐纳二极管（单齐纳），采用DO-41封装，符合AEC-Q200标准（部分批次），具有低动态阻抗、良好温度稳定性和高浪涌耐受能力。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）、小功率线性稳压器（如78xx系列输入预稳压）提供精确、稳定的6.8V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用于电源输入端或IC供电引脚的钳位保护，防止瞬态高压（如开关噪声、ESD耦合）损坏后级器件； 3. 电平箝位与波形整形：在信号链中限制交流信号幅值（如音频输入保护、比较器阈值设定）、构建简易稳压限幅电路； 4. 工业与汽车电子：凭借其宽工作温度范围（–65°C至+175°C）和高可靠性，适用于车载电源管理、工业PLC模块、电机驱动控制板等对鲁棒性要求较高的环境； 5. 替代传统稳压方案：在成本敏感、空间受限且无需高精度调节的场合，替代低压差稳压器（LDO）实现简单稳压。 注：TR8表示卷带包装（Tape & Reel），适用于自动化贴装；E3代表符合JEDEC J-STD-020无铅回流焊标准。实际使用需注意功耗（≤3W）、散热设计及串联限流电阻计算，避免齐纳管热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.8V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.8DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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