Datasheet下载- 型号： 3EZ6.8D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.8D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.8D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ6.8D5E3/TR8是一款6.8V、5%容差、1W功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置电路）中提供稳定基准电压；适用于输入波动较小、负载电流较轻（≤10–15mA）的场合。 2. 过压保护与箝位：与TVS或限流电阻配合，用于IC输入/输出端口的瞬态电压抑制（如RS-232接口、微控制器I/O引脚），将电压箝位在6.8V附近，防止后级器件过压损坏。 3. 电源反馈环路：在低成本线性稳压器（如78xx系列辅助稳压）或开关电源的光耦反馈侧，作为误差检测基准点。 4. 浪涌吸收与ESD防护辅助：在工业控制板、通信模块等对成本和可靠性要求较高的嵌入式系统中，作为二级防护元件，协同主防护器件提升鲁棒性。 该器件具有良好的温度稳定性（齐纳电压温度系数约±0.05%/°C）、低动态阻抗（典型值＜10Ω）及AEC-Q200兼容性（部分批次），适用于工业、汽车电子（非安全关键系统）、仪器仪表及消费类电源管理等中低应力环境。注意：不适用于大电流稳压或高频噪声抑制场景，设计时需确保功耗不超过1W并留有足够散热裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.8V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.8D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
3EZ6.8D5E3/TR8 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商