Datasheet下载- 型号： 3EZ6.8D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.8D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.8D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ6.8D2E3/TR12是一款6.8V、3W功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，符合AEC-Q200可靠性标准（汽车级），并具有±2%的精密电压容差（“D2”后缀表示该精度）。 其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为传感器、ADC/DAC、运算放大器等模拟电路提供稳定参考电压； 2. 过压保护（OVP）：配合TVS或限流电阻，用于电源输入端的钳位保护，防止瞬态过压损坏后级IC； 3. 汽车电子系统：因通过AEC-Q200认证，广泛用于车载信息娱乐、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动及CAN/LIN总线接口的ESD/浪涌防护； 4. 工业电源与仪表：在DC-DC转换器反馈回路、电源监控电路中实现低成本稳压或阈值检测； 5. 消费类设备：如打印机、POS终端等对成本和可靠性有平衡要求的嵌入式电源管理。 该器件具备良好的温度稳定性（低动态阻抗）和长期可靠性，适用于-65℃~+175℃宽温环境，特别适合空间受限且需高鲁棒性的中低功率应用。注意：实际使用时需确保功耗不超过3W，并合理设计散热路径。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.8V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.8D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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