Datasheet下载- 型号： 3EZ6.8D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.8D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.8D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ6.8D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为6.8V，功率为3W，DO-41封装，带AEC-Q200兼容性（E3后缀表符合JESD22-A110可靠性标准），TR8表示卷带包装。 其典型应用场景包括： 1. 电源电压基准与稳压：在低压线性稳压电路中为LDO或运算放大器提供精确、低噪声的6.8V参考电压； 2. 过压保护（OVP）：与晶闸管（SCR）或MOSFET配合构成Crowbar保护电路，当输入电压异常升高至约6.8V时触发保护动作，防止后级器件损坏； 3. 浪涌/ESD钳位：在工业控制、汽车电子（如车身控制模块BCM、传感器接口）中，用于瞬态电压抑制（TVS功能有限，需配合TVS二极管使用）； 4. 信号电平箝位与限幅：在模拟前端电路中限制信号摆幅，防止ADC输入超量程； 5. 温度补偿电路：利用齐纳二极管与正温度系数元件（如硅二极管）组合，实现宽温区稳定基准（需注意该型号具有负温度系数，约−1.5 mV/°C）。 该器件具备高浪涌承受能力（如40A@8.3ms）、低动态阻抗（典型7Ω）和良好长期稳定性，适用于对可靠性要求较高的工业、汽车及通信电源系统。注意：不可替代专用TVS器件用于高频/大能量ESD防护，设计时需校核功耗与散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.8V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.8D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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