【未分类_3EZ6.8D/TR8】封装/厂家_3EZ6.8D/TR8中文资料_价格

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型号： 3EZ6.8D/TR8
制造商： American Microsemiconductor, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8D/TR8封装/规格：未分类，暂无。您可以下载3EZ6.8D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.8D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ6.8D/TR8是一款6.8V、0.5W（500mW）通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8表示卷带盘装）。其主要应用场景包括：

1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中提供稳定6.8V基准电压，适用于对精度要求不苛刻但需成本优化的场合。

2. 过压保护与箝位：用于IC输入/输出端口的ESD或瞬态电压抑制（TVS辅助），将异常电压箝位在6.8V左右，防止后级器件损坏（常配合限流电阻使用）。

3. 电源反馈与调节：在小功率线性稳压器（如78Lxx系列辅助电路）或开关电源的反馈分压网络中，作为基准点或误差检测元件。

4. 工业与消费电子：广泛应用于家电控制板、LED驱动电路、电池充电管理、仪器仪表等对可靠性与温度稳定性有一定要求（工作结温-65℃~+175℃）、且无需高精度（典型Zener容差±5%）的场景。

注意：该器件为通用型齐纳二极管，非低噪声或高稳定性专用型号，不适用于精密基准或高频应用。设计时需考虑功耗限制（≤500mW）及散热条件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER 3W 6.8V 20% DO-41
产品分类	单二极管/齐纳
品牌	Microsemi Commercial Components Group
数据手册	http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf
产品图片
产品型号	3EZ6.8D/TR8
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	1.2V @ 200mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	5µA @ 4V
供应商器件封装	DO-41
功率-最大值	3W
包装	带卷（TR）
安装类型	通孔
容差	±20%
封装/外壳	DO-204AL，DO-41，轴向
工作温度	-65°C ~ 150°C
标准包装	1,500
电压-齐纳（标称值）(Vz)	6.8V
阻抗（最大值）(Zzt)	2 欧姆