Datasheet下载- 型号： 3EZ6.8D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.8D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.8D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ6.8D/TR12是一款6.8V、500mW通孔式齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）中提供稳定6.8V基准电压；适用于简单线性稳压器的误差检测或反馈网络。 2. 过压保护与箝位：用于I/O端口或敏感模拟输入端，将瞬态电压箝位在6.8V附近，防止后级IC（如MCU、运放）因浪涌或ESD受损。 3. 电源监控与阈值检测：配合电阻分压及比较器，实现6.8V阈值的电源上电复位（POR）或欠压锁定（UVLO）功能。 4. 低成本消费电子与工业控制：广泛应用于家电控制板、LED驱动恒流源的偏置电路、小型电源适配器的辅助稳压等对成本和可靠性要求高、但功率需求低的场景。 该器件具有±5%标称电压容差、低动态阻抗（典型值10Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ 0.05%/°C），适合-65°C至+175°C宽温工业环境。需注意其为通孔封装，不适用于高密度SMT产线；设计时应确保功耗不超过500mW，并留足散热余量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.8V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.8D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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