Datasheet下载- 型号： 3EZ6.2D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.2D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.2D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.2D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.2D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.2D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现属Microchip Technology）的3EZ6.2D5E3/TR12是一款6.2V、3W通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗线性稳压电路中为运算放大器、ADC/DAC或传感器提供稳定参考电压（如6.2V基准源）； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，钳位敏感电路节点（如MCU I/O口、电源输入端）的瞬态过压，防止ESD或浪涌损坏； 3. 电源调节辅助：在简单离线电源或电池供电系统中，为偏置电路、LED恒流驱动或比较器阈值提供精确钳位； 4. 信号电平限制：在模拟前端中限制交流信号幅值（如音频/传感器信号调理），避免后级器件饱和或失真。 该器件适用于工业控制、通信设备、仪器仪表及汽车电子（非安全关键部位）等对成本、可靠性与基础稳压性能有要求的场景。需注意其为通孔封装（TR12表示编带包装），适合传统PCB装配；设计时应确保功耗不超过3W（需合理计算功耗并考虑散热），且齐纳电流须维持在最小稳定电流（IZK ≈ 1mA）以上以保障稳压精度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.2V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.2D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 1.5 欧姆 |
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