Datasheet下载- 型号： 3EZ6.2D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.2D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.2D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.2D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.2D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.2D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ6.2D/TR12是一款6.2V、3W功率的玻璃钝化齐纳二极管，采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定6.2V基准电压；适用于对温漂和长期稳定性要求适中的场合。 2. 过压保护与箝位：常用于IC输入/输出端口或敏感节点的瞬态电压抑制（TVS辅助功能），配合限流电阻，将异常电压箝位在约6.2V，防止后级器件（如MCU GPIO、运放）损坏。 3. 电源反馈环路：在简易线性稳压器（如78xx系列辅助稳压）或开关电源的光耦反馈电路中，作为误差检测的基准元件。 4. 工业与嵌入式系统：广泛应用于工业控制板、通信模块、仪表设备等对成本敏感、可靠性要求较高且工作环境温度范围较宽（-65℃~+175℃）的场景。 该器件具有低动态阻抗、良好重复击穿特性及高浪涌承受能力（可达40A@tp=1ms），但需注意其功率限制（3W）及散热设计。不适用于高频或精密基准（如需ppm级温漂建议选用带隙基准IC）。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.2V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.2D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 1.5 欧姆 |
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