Datasheet下载- 型号： 3EZ56D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ56D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ56D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ56D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ56D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ56D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ56D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的 56V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±2%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定56V基准电压，适用于工业控制、测试仪器等对电压精度要求较高的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC供电轨的钳位保护，当瞬态电压超过56V时导通分流，配合限流电阻保护后级MOSFET、运放或MCU等器件，广泛应用于通信电源、LED驱动及电机驱动电路。 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助：虽非专用TVS，但在低能量瞬变（如开关噪声、感应干扰）场景中可作为低成本钳位元件，常与TVS或RC网络协同使用，提升系统鲁棒性。 4. 反馈环路稳压：在隔离式DC-DC转换器（如反激拓扑）的次级侧，用于稳压光耦反馈回路，实现输出电压精确调节。 该器件具备良好的热稳定性与长期可靠性，适用于工业温度范围（–65°C 至 +175°C），常见于工业自动化、电力监控、航空航天及高可靠性嵌入式系统中。注意需严格按规格书设计功耗与散热，避免持续工作在额定功率极限。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 56V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ56D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 42.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 50 欧姆 |
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