Datasheet下载- 型号： 3EZ51DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ51DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ51DE3/TR8是一款51V、3W表面贴装齐纳二极管（DO-214AC/SMA封装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 稳压与基准电压源：在低压电源或模拟电路中为ADC参考、传感器偏置或运放基准提供稳定51V齐纳电压，适用于对精度要求适中的工业控制板、仪表电路。 2. 过压保护（OVP）钳位：串联限流电阻后，并联于敏感器件（如MOSFET栅极、IC供电端），在瞬态高压（如ESD、电感反冲）出现时将电压钳位于51V附近，防止后级损坏。 3. 浪涌抑制辅助电路：常与TVS或MOV配合使用，在二级防护中承担精细稳压任务，提升系统EMC可靠性，见于通信接口（RS-485、CAN总线）电源侧保护设计。 4. 电源反馈环路补偿：在离线式开关电源（如反激拓扑）的光耦反馈路径中，作为误差放大器的稳压基准或分压网络的一部分，增强输出电压稳定性。 该器件因3W功率能力、SMA小尺寸及AEC-Q200兼容性（部分批次），亦适用于车载信息娱乐系统、工业PLC模块等需一定温度耐受（-65℃~+175℃）和长期可靠性的场景。注意：实际应用中须校核功耗、散热及瞬态响应，避免持续工作在最大额定值边缘。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 51V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ51DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 38.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 48 欧姆 |
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