Datasheet下载- 型号： 3EZ51D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ51D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ51D10/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为51V，额定功率为3W（DO-41封装），容差±5%，典型动态阻抗低，具有良好的温度稳定性和长期可靠性。 其主要应用场景包括： 1. 电源稳压与基准电压源：在中功率线性稳压电路或开关电源反馈回路中，提供51V基准电压，用于过压保护阈值设定或误差放大器参考； 2. 过压保护（OVP）电路：配合晶闸管（SCR）或三极管构成撬棍（Crowbar）保护电路，在输入/输出电压异常升高至约51V时触发保护，防止后级器件损坏； 3. 浪涌抑制与箝位：在工业控制、通信接口（如RS-485总线防护）或传感器供电电路中，吸收瞬态高压脉冲（如EFT、ESD感应浪涌），将电压箝位于51V安全水平； 4. 模拟电路偏置与分压参考：在高电压模拟前端（如高压运放偏置、ADC前端衰减网络）中，作为稳定参考点，提升系统精度与抗扰度； 5. 电池管理系统（BMS）：用于多节串联锂电池/超级电容组的单体电压监测与均衡参考，适配51V平台（如12S锂电组标称48V，满充约51.6V）。 该器件符合AEC-Q200（部分批次），适用于工业、通信电源、汽车电子（非动力域）、仪器仪表等对可靠性要求较高的场景。TR12表示卷带包装，便于自动化贴装。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 51V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ51D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 38.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 48 欧姆 |
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