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  • 型号: 3EZ5.6DE3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6DE3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ5.6DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ5.6DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ5.6DE3/TR8是一款5.6V、3W表面贴装齐纳二极管(DO-41封装,卷带包装),具有±5%电压容差和低动态阻抗。其典型应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC参考源、运算放大器偏置电路)提供稳定5.6V基准电压;  
2. 过压保护(OVP):与TVS或限流电阻配合,钳位电源线或I/O端口瞬态电压,防止后级IC(如MCU、通信接口芯片)因浪涌或ESD受损;  
3. 电源稳压辅助:在简单线性稳压电路中作并联稳压元件(适用于小电流负载,如待机电源、LED恒压驱动反馈节点);  
4. 电平转换与箝位:在数字电路中限制信号摆幅(如将5V逻辑信号安全箝位至5.6V以下,兼容特定接口电平要求);  
5. 工业与汽车电子:因具备AEC-Q200兼容性(部分批次)及宽温工作范围(-65℃~+175℃),适用于车载信息娱乐系统供电监控、PLC模块电压监测等严苛环境。

需注意:该器件为单齐纳结构,不集成温度补偿,高精度应用建议选用带温度补偿的基准IC;实际使用时须确保功耗≤3W(需合理计算散热条件),并避免长期工作在最大额定值边缘。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 5.6V 20% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ5.6DE3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5µA @ 2V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±20%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

5.6V

阻抗(最大值)(Zzt)

2.5 欧姆

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