Datasheet下载- 型号： 3EZ5.6D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.6D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.6D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ5.6D10/TR8 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 5.6 V，额定功率为 3 W（“3EZ”系列），DO-41 封装，符合 AEC-Q200（部分批次）或工业级可靠性标准，TR8 表示编带卷盘包装。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路、传感器信号调理、ADC/DAC 参考源中提供稳定 5.6 V 基准； 2. 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，用于电源输入端或敏感IC引脚的钳位保护，防止瞬态过压（如 ESD、浪涌）损坏后级器件； 3. 电源反馈环路：在简易线性稳压器（如78Lxx辅助电路）或光耦反馈电路中作为误差检测/基准元件； 4. 电平转换与箝位：在数字接口（如MCU I/O）中限制信号摆幅至安全范围（如将5.5 V信号钳位于5.6 V以下）； 5. 工业与汽车电子：因Microsemi器件具备宽温（-65°C 至 +175°C）、高可靠性及抗辐射特性，适用于车载电源管理、电机控制模块、工业PLC接口等严苛环境。 注意：该器件属通用型齐纳，不适用于高精度或低温漂场景（温度系数约±0.05%/°C @5.6 V），精密应用需选用带温度补偿的基准源。使用时须严格匹配功耗（P = Vz × Iz）并确保散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.6V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.6D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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