| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6D/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ5.6D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ5.6D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ5.6D/TR8是一款5.6V、3W功率的齐纳二极管(单管),采用DO-41封装,带卷带包装(TR8)。其主要应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路中提供稳定的5.6V参考电压,常用于传感器信号调理、ADC/DAC基准源或电源监控电路。 2. 过压保护(OVP):与限流电阻配合,用作简单可靠的瞬态电压抑制或稳压钳位,保护后级IC(如MCU、运放)免受浪涌或电源波动影响。 3. 电源反馈环路:在低成本线性稳压器(如78xx系列辅助电路)或开关电源的反馈分压网络中,作为精密钳位元件,提升输出电压精度与温度稳定性(5.6V齐纳管具有近零温度系数点,性能较优)。 4. ESD防护辅助:在I/O端口前端与TVS协同使用,提供二级钳位,增强静电防护鲁棒性。 5. 工业与汽车电子:适用于宽温范围(-65℃~+175℃)、高可靠性要求的场景,如PLC模块、车载电源管理、电机驱动控制板等。 注意:该器件为通用型齐纳管,非高精度基准(初始容差±5%),不适用于高精度计量场合;设计时需确保功耗≤3W并留有余量,避免热失效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.6V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.6D/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.6V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 2.5 欧姆 |