Datasheet下载- 型号： 3EZ5.1DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.1DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.1DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.1DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.1DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.1DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ5.1DE3/TR8是一款5.1V、3W通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低压电源电路中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定基准电压；适用于小电流（≤60mA）的局部稳压需求。 2. 过压保护（钳位）：与TVS或串联限流电阻配合，用于保护敏感IC引脚（如MCU I/O、通信接口）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损害，将电压钳位在约5.1V。 3. 电源轨箝位与反馈：在开关电源次级侧辅助稳压环路中作误差检测基准，或在LDO输出端提供过压硬限幅。 4. 工业与汽车电子：凭借AEC-Q200兼容性（TR8为卷带包装，常用于自动化贴装），广泛用于车载信息娱乐系统、车身控制模块及工业PLC的电源管理单元。 5. 替代传统稳压方案：在成本敏感、空间受限且无需高精度/低温漂的场合，替代低压差稳压器（LDO），简化设计。 注意：该器件为通用型齐纳管，不适用于高精度或高温环境（工作结温上限200°C，但长期稳定性逊于基准IC）。使用时需确保功耗不超过3W（需合理计算散热），并避免反向电流低于最小稳定电流（IZK≈1mA）导致稳压失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.1V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.1DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 3.5 欧姆 |
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