Datasheet下载- 型号： 3EZ5.1D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.1D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.1D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.1D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.1D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.1D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ5.1D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 5.1V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定5.1V基准电压，具备良好温度稳定性（典型TC ≈ ±0.05%/°C）和低动态阻抗（约7Ω），适用于精度要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC引脚（如MCU I/O、通信接口）的箝位保护，配合限流电阻可吸收瞬态浪涌（如ESD、EFT），防止后级器件因过压损坏。 3. 电平转换与信号限幅：在数字/模拟混合系统中，用于将较高逻辑电平（如5.5V）安全钳位至5.1V，兼容TTL/CMOS电平，或限制交流信号峰值以保护ADC输入。 4. 低成本线性稳压辅助：在简单LDO或分立稳压电路中作为误差检测或基准元件，尤其适用于对成本敏感、空间受限且无需高精度（±5%标称容差）的工业控制、消费电子及电源管理模块。 注：该器件最大功率3W，需注意PCB散热设计；不适用于高频或大电流稳压场景。Microsemi原厂已整合入Microchip，技术支持及供货由Microchip统一提供。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.1V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.1D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 3.5 欧姆 |
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