Datasheet下载- 型号： 3EZ43D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ43D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ43D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ43D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ43D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ43D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ43D10E3/TR8是一款齐纳二极管，标称稳压值为43V，功率为3W，DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： - 过压保护与箝位电路：用于电源输入端或敏感IC接口处，将瞬态电压箝位在43V左右，防止后级电路因浪涌或ESD受损。 - 基准电压源：在精度要求不苛刻的模拟电路（如简易稳压器、比较器参考端）中提供稳定基准电压。 - 线性稳压辅助电路：配合三端稳压器或LDO构成预稳压/分压反馈网络，提升系统稳定性。 - 工业控制与电源管理：适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PLC模块等对成本和可靠性有要求的中低频应用。 该器件具有良好的温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）和低动态阻抗，适合中等功率、非高精度场合。需注意其最大功耗为3W，实际使用时应结合散热条件降额设计；且齐纳击穿特性使其不适用于高频或低噪声精密基准场景。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 43V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ43D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 32.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 43V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 33 欧姆 |
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